MOSFET
TDM3580
TDM3580
N沟道MOSFET · DFN56封装
产品概述
TDM3580是一款高性能N沟道MOSFET，采用DFN56封装，具有极低的导通电阻和优秀的开关特性。该器件在10V驱动电压下RDS(on)仅为1.17mΩ，适用于高效率DC-DC转换器、电机驱动和电源管理应用。
主要特性
- 超低RDS(on) 1.17mΩ@10V
- 高连续电流25.3A，脉冲电流100A
- 快速开关特性，低栅极电荷
- DFN56紧凑封装，节省PCB空间
- 40V漏源电压，满足多数应用需求
| 封装 | DFN56 |
|---|---|
| Cfg. | N |
| BV (V) | 40 |
| VGS (±V) | 20 |
| ID TA=25°C (A) | 25.3 |
| ID TC=25°C (A) | 100 |
| VTH min. (V) | 1.3 |
| VTH typ. (V) | 1.7 |
| VTH max. (V) | 2.5 |
| RDS(on) 10V typ. (mΩ) | 1.17 |
| RDS(on) 10V max. (mΩ) | 1.4 |
| RDS(on) 4.5V typ. (mΩ) | 1.6 |
| RDS(on) 4.5V max. (mΩ) | 2.1 |
| Ciss (pF) | 4945 |
| Coss (pF) | 1280 |
| Crss (pF) | 165 |
| Qg 10V typ. (nC) | 78 |
| Qg 10V max. (nC) | - |
| Qg 4.5V typ. (nC) | - |
| Qg 4.5V max. (nC) | - |